Разработана самая плотная на сегодня флеш-память

Японская Kioxia и американский Sandisk объединили усилия для разработки сверхплотной флеш-памяти. Результаты совместного проекта, который недавно продлили до 2034 года, были обнародованы на конференции Future of Memory and Storage (FMS) в Санта-Кларе, Калифорния.

Компании представили новейшую (десятое поколение) технологию трехмерной флеш‑памяти с четырехуровневыми ячейками (QLC). Плотность записи у нового решения выросла на 60% по сравнению с восьмым поколением, превысив 37 Гбит/мм², что стало рекордом по плотности, быстродействию и энергоэффективности.

Чипы многослойные — логическая схема и массив памяти изготавливаются на разных пластинах, а затем соединяются с высокой точностью совмещения. По сравнению с восьмым поколением новинка заметно выигрывает в скорости чтения и записи и становится первой QLC‑памятью с 3D‑структурой, достигшей пропускной способности интерфейса 4,8 Гбит/с.

«ИИ все глубже проникает в жизнь общества, а его применение расширяется от генеративных моделей до агентных систем и физического ИИ, способы работы с данными становятся все более разнообразными и сложными. Технология QLC позволяет эффективно хранить стремительно растущие объемы информации, обеспечивая системам ИИ более высокую производительность и масштабируемость», — пояснил технический директор Kioxia Хидэси Миядзима.

«Нагрузки, связанные с обучением ИИ, логическими выводами и работой гипермасштабируемых дата-центров, порождают колоссальные объемы информации. Перед индустрией хранения данных стоит задача наращивать емкость, повышать скорость и улучшать энергоэффективность», — подтвердил технический директор Sandisk Альпер Илькбахар.

В чипах NAND QLC 10-го поколения 332 слоя (в восьмом было 218). Само по себе увеличение высоты стека дает большой прирост емкости, но без других улучшений плотность растет нелинейно из-за паразитных областей. Поэтому уменьшили размеры ячеей и расстояния между ними в горизонтальной плоскости, что прибавило еще 59–60% битовой плотности. Энергопотребление при выводе данных сократили, применив отключаемые нагрузочные резисторы.

Инженерные прототипы трехбитной памяти десятого поколения (TLC) уже рассылаются потенциальным заказчикам, через год планируется начало серийного производства. Предполагается, что такая память найдет применение в SSD для массового хранения «холодных» данных — архивы, облака, видео.

В Китае разработана самая быстрая в мире флеш-память

Размер ячеек энергонезависимой памяти уменьшили до 25 нм

Подписывайтесь и читайте «Науку» в MAX